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離子注入
材料表面改性技術(shù)
離子注入是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí)，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個(gè)現象叫做濺射；而當離子束射到固體材料時(shí)，從固體材料表面彈了回來(lái)，或者穿出固體材料而去，這些現象叫做散射；另外有一種現象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并最終停留在固體材料中的這一現象叫作離子注入。
基本信息
| 中文名 | 離子注入 |
| 外文名 | Ion implantation |
| 性質(zhì) | 高新技術(shù) |
原理
等離子體基離子注入PBⅡ裝置示意圖
應用
在電子工業(yè)中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術(shù)，也是控制MOSFET閾值電壓的一個(gè)重要手段。因此在當代制造大規模集成電路中，可以說(shuō)是一種必不可少的手段。
離子注入的方法就是在真空中、低溫下，把雜質(zhì)離子加速（對Si，電壓≥105 V），獲得很大動(dòng)能的雜質(zhì)離子即可以直接進(jìn)入半導體中；同時(shí)也會(huì )在半導體中產(chǎn)生一些晶格缺陷，因此在離子注入后需用低溫進(jìn)行退火或激光退火來(lái)消除這些缺陷。離子注入的雜質(zhì)濃度分布一般呈現為高斯分布，并且濃度最高處不是在表面，而是在表面以?xún)鹊囊欢ㄉ疃忍帯?/span>
離子注入的優(yōu)點(diǎn)是能精確控制雜質(zhì)的總劑量、深度分布和面均勻性，而且是低溫工藝（可防止原來(lái)雜質(zhì)的再擴散等），同時(shí)可實(shí)現自對準技術(shù)（以減小電容效應）。
在工藝流程中，光刻的下一道工序就是刻蝕或離子注入。在做離子注入時(shí)，有光刻膠保護的地方，離子束無(wú)法穿透光刻膠；在沒(méi)有光刻膠的地方離子束才能被注入到襯底中實(shí)現摻雜。因此，用于離子注入工藝的光刻膠必須要能有效地阻擋離子束。
集成電路前道制程中有許多光刻層之后的工藝是離子注入（ion implantation），這些光刻層被稱(chēng)為離子注入光刻層（implant layers）。離子注入完成后，晶圓表面的光刻膠必須被清除掉，清除離子注入后的光刻膠是光刻工藝中的一個(gè)難點(diǎn)。對清除工藝的要求包括：
（1）干凈徹底地去除襯底上的光刻膠；
（2）盡量避免襯底損傷表面，特別是離子注入區域（即沒(méi)有光刻膠的區域）；
優(yōu)點(diǎn)
高能離子注入的優(yōu)勢
多樣性：原則上任何元素都可以作為注入離子；形成的結構可不受熱力學(xué)參數（擴散、溶解度等）限制；
不改變：不改變工件的原有尺寸和粗糙度等；適合于各類(lèi)精密零件生產(chǎn)的最后一道工序；
牢固性：注入離子直接和材料表面原子或分子結合，形成改性層，改性層和基底材料沒(méi)有清晰的界面，結合牢靠，不存在脫落的現象；
不受限：注入過(guò)程在材料溫度低于零下、高到幾百上千度都可以進(jìn)行；可對那些普通方法不能處理的材料進(jìn)行表面強化，如塑料、回火溫度低的鋼材等；
MEVVA源
介紹
M EVVA源是金屬蒸汽真空弧離子源的縮稱(chēng)。這是上世紀80年代中期由美國加州大學(xué)伯克利分校的布朗博士由于核物理研究的需要發(fā)明研制成功的。這種新型的強流金屬離子源問(wèn)世后很快就被應用于非半導體材料離子注入表面改性，并引起了強流金屬離子注入的一場(chǎng)革命，這種獨特的離子注入機被稱(chēng)為新一代金屬離子注入機。
優(yōu)點(diǎn)
(3)金屬離子一般有幾個(gè)電荷態(tài)，這樣可以用較低的引出電壓得到較高的離子能量，而且用一個(gè)引出電壓可實(shí)現幾種能量的疊加(離子)注入；
(4)束流是發(fā)散的，可以省去束流約束與掃描系統而達到大的注入面積。其革命性主要有兩個(gè)方面，一是它的高性能，另一是使離子注入機的結構大大簡(jiǎn)化，主要由離子源、靶室和真空系統這三部分組成。
發(fā)展
在國家863計劃的大力支持下，經(jīng)過(guò)十多年的研究和開(kāi)發(fā)，M EVVA源金屬離子注入表面技術(shù)在硬件(設備)和軟件(工藝)兩方面均已取得了重要的突破和進(jìn)展，并已具備了實(shí)現產(chǎn)業(yè)化的基礎。在設備方面，完成了M EVVAIIA-H、MEVVAII-B和MEVVA50型3種不同型號M EVVA源的研制，主要性能達到國際先進(jìn)水平。僅“九五”期間，就已先后為臺灣地區、香港地區和國內大學(xué)研究所和工廠(chǎng)生產(chǎn)了15臺M EVVA源離子注入機或M EVVA源鍍膜設備。
應用
離子注入系統示意圖
(2)熱擠壓和注塑模具，可使能耗降低20%左右，延長(cháng)使用壽命10倍左右；
(3)精密運動(dòng)耦合部件，如抽氣泵定子和轉子，陀螺儀的凸輪和卡板，活塞、軸承、齒輪、渦輪渦桿等，可大幅度地降低摩擦系數，提高耐磨性和耐蝕性，延長(cháng)使用壽命最多可以達到100倍以上；
(4)擠壓合成纖維和光導纖維的精密?chē)娮?，可以大大提高其抗磨蝕性和使用壽命；
(5)半導體工業(yè)中的精密模具，罐頭工業(yè)中的壓印和沖壓模具等，可顯著(zhù)提高這些貴重、精密模具的工作壽命；
技術(shù)
這項高技術(shù)是一個(gè)方興未艾的新興產(chǎn)業(yè)，硬件設備的處理能力和效率有待進(jìn)一步提高，在軟件(離子注入材料表面改性技術(shù))方面，也有待進(jìn)一步深化和細化，其應用范圍也有待不斷擴大。
國內外發(fā)展概況美國的I SM Tech.公司是國際上生產(chǎn)M EVVA源離子注入機的專(zhuān)業(yè)公司，在綜合技術(shù)水平上處于國際領(lǐng)先。上世紀90年代以來(lái)先后研制生產(chǎn)了幾種不同類(lèi)型的商用M EVVA源離子注入機。一種多M EVVA源離子注入機，在真空室里配備了4臺AVIS80-75MEV- VA源，總束流可達300mA，總束斑面積可打12，000cm2，是世界上束流最強的M EVVA源離子注入機。歐美工業(yè)發(fā)達國家的離子注入表面處理技術(shù)這一新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況良好，如美國的S PIRE公司和ISM Tech.公司、英國的A EA Industrial Tech.，Tec Vac和Tech-Ni-Plant、法國的N itruvid和IBS、西班牙的INASMET和AIN、德國的M AT和丹麥D TI Tribology Centre等均已經(jīng)取得了可觀(guān)的經(jīng)濟效益和社會(huì )效益，起了很好的示范作用。他們已經(jīng)將金屬離子注入的費用降低到$0.05-0.5/cm2的水平，可以被包括醫療、航空、航天、機械等廣泛的領(lǐng)域和部門(mén)所接受。
非半導體
非半導體材料離子注入表面改性研究對離子注入機提出了一些新的要求。半導體材料的離子注入所需的劑量（即單位面積上打進(jìn)去了多少離子，單位是：離子/平方厘米）比較低，而所要求的純度很高。非半導體材料離子注入表面改性研究所需的劑量很高（比半導體材料離子注入高1000倍以上），而純度不要求像半導體那么高。
在非半導體材料離子注入表面改性研究的初始階段，主要是沿用半導體離子注入機所產(chǎn)生的氮離子束來(lái)進(jìn)行。這主要是因為氮等氣體離子在適用于半導體離子注入的設備上容易獲得比較高的離子束流。氮離子注入在金屬、硬質(zhì)合金、陶瓷和高分子聚合物等的表面改性的研究與應用中取得了引人注目的成功。因此這個(gè)階段被稱(chēng)為氮離子注入階段。
金屬離子注入是新一代的材料表面處理高技術(shù)。它利用具有很高能量的某種金屬元素的離子束打入固體材料所引起的一系列物理的與化學(xué)的變化，來(lái)改善固體材料的某些表面性能。研究結果表明，金屬離子注入在非半導體材料離子注入表面改性研究與應用中效果更加顯著(zhù)，應用范圍更加廣泛，許多氮離子注入無(wú)法實(shí)現的，金屬離子注入可以很好地實(shí)現。但是，基于半導體離子注入需要的傳統離子注入機，要想獲得比較強束流的金屬離子束是比較困難的，進(jìn)行非半導體材料離子注入表面改性所需的費用也是比較昂貴的。
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尚可名片
這家伙太懶了，什么都沒(méi)寫(xiě)！
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