摻雜程度(doping level)是指在無(wú)機半導體中,雜質(zhì)原子取代主原子位置的過(guò)程。

正文

而導電高聚物中常用的滲雜術(shù)語(yǔ),其物理含義與傳統的無(wú)機半導體中所常用的摻雜概念完全不同,具有如下的特點(diǎn):(1)從化學(xué)角度講摻雜的實(shí)質(zhì)是氧化一還原過(guò)程;(2)從物理角度講摻雜是離子嵌入的過(guò)程;(3)摻雜和脫摻雜是完全可逆的過(guò)程,導電高聚物脫摻雜后除去高電導率特性外,摻雜量大大超過(guò)無(wú)機半導體摻雜量的限度。所以,離子與導電高聚物進(jìn)行氧化一還原反應的程度J為摻雜程度。